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Datasheet > 存储 > 闪存> GE28F640L30B85
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GE28F640L30B85

更新时间： 2024-11-25 03:39:11
品牌 Logo 应用领域
英特尔 - INTEL 闪存存储内存集成电路无线
页数 文件大小 规格书
100页 1405K
描述
1.8 Volt Intel StrataFlash㈢ Wireless Memory with 3.0-Volt I/O (L30)

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GE28F640L30B85 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：BGA包装说明：0.75 MM PITCH, VFBGA-56
针数：56Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.1.AHTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.26最长访问时间：85 ns
其他特性：SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PBGA-B56
JESD-609代码：e0长度：9 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：4,63端子数量：56
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-25 °C组织：4MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VFBGA
封装等效代码：BGA56,7X8,30封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH页面大小：4 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：1.8,2.5/3 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1 mm
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.051 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：OTHER
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：7.7 mm
Base Number Matches：1

GE28F640L30B85 数据手册

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®
1.8 Volt Intel StrataFlash Wireless  
Memory with 3.0-Volt I/O (L30)  
28F640L30, 28F128L30, 28F256L30  
Datasheet  
Product Features  
■ High performance Read-While-Write/Erase  
— 85 ns initial access  
■ Software  
— 20 µs (Typ) program suspend  
— 52MHz with zero wait state, 17 ns clock-to-data  
— 20 µs (Typ) erase suspend  
output synchronous-burst mode  
— Intel® Flash Data Integrator (FDI) optimized  
— Basic Command Set (BCS) and Extended  
Command Set (ECS) compatible  
— 25 ns asynchronous-page mode  
— 4-, 8-, 16-, and continuous-word burst mode  
— Burst suspend  
— Common Flash Interface (CFI) capable  
— Programmable WAIT configuration  
— Buffered Enhanced Factory Programming  
(Buffered EFP): 3.5 µs/byte (Typ)  
■ Security  
—OTP space:  
— 1.8 V low-power buffered and non-buffered  
— 64 unique device identifier bits  
— 64 user-programmable OTP bits  
programming @ 10 µs/byte (Typ)  
■ Architecture  
— Additional 2048 user-programmable OTP  
bits  
— Absolute write protection: VPP = GND  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down  
— Asymmetrically-blocked architecture  
— Multiple 8-Mbit partitions: 64Mb and 128Mb  
devices  
— Multiple 16-Mbit partitions: 256Mb devices  
— Four 16-KWord parameter blocks: top or  
bottom configurations  
■ Quality and Reliability  
— 64K-Word main blocks  
— Expanded temperature: –25° C to +85° C  
— Minimum 100,000 erase cycles per block  
— ETOX™ VIII process technology (0.13 µm)  
■ Density and Packaging  
— Dual-operation: Read-While-Write (RWW) or  
Read-While-Erase (RWE)  
— Status register for partition and device status  
■ Power  
— 1.7 V - 2.0 V VCC operation  
— I/O voltage: 2.2 V - 3.3 V  
— Standby current: 30 µA (Typ)  
— 4-Word synchronous read current: 17 mA (Typ)  
@ 54 MHz  
— 64-, 128- and 256-Mbit density in VF BGA  
packages  
— 128/0, and 256/0 Density in Stacked-CSP  
— 16-bit wide data bus  
— Automatic Power Savings (APS) mode  
The 1.8 Volt Intel StrataFlash® wireless memory with 3-Volt I/O product is the latest generation of  
Intel StrataFlash® memory devices featuring flexible, multiple-partition, dual operation. It provides high  
performance synchronous-burst read mode and asynchronous read mode using 1.8 volt low-voltage, multi-  
level cell (MLC) technology.  
The multiple-partition architecture enables background programming or erasing to occur in one partition  
while code execution or data reads take place in another partition. This dual-operation architecture also  
allows two processors to interleave code operations while program and erase operations take place in the  
background.  
The 1.8 Volt Intel StrataFlash® wireless memory with 3-Volt I/O device is manufactured using Intel  
0.13 µm ETOX™ VIII process technology. It is available in industry-standard chip scale packaging.  
.
Notice: This document contains information on products in the design phase of  
development. The information here is subject to change without notice. Do not finalize  
a design with this information.  
Order Number: 251903-003  
April 2003  
1234567...100

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GE28F640L30B90 NUMONYX

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