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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.44 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 基于收集器的最大容量： | 750 pF |
| 集电极-发射极最大电压： | 350 V | 配置： | DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 50 | JEDEC-95代码： | TO-204AE |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 250 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 250 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 3400 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 1250 ns | VCEsat-Max： | 5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| GE10023 | ETC | Darlington Power Transistors |
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| GE1003 | RENESAS | 1A, 150V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| GE1003 | ROCHESTER | 1 A, 150 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| GE1004 | ROCHESTER | 1 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| GE1004 | RENESAS | 1A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| GE100D | CDE | Disc Ceramic Capacitors |
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