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GDZ8V2B-GS08

更新时间: 2024-11-26 15:33:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试二极管
页数 文件大小 规格书
4页 46K
描述
Zener Diode, 8.19V V(Z), 2%, 0.2W,

GDZ8V2B-GS08 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.83
配置:SINGLE二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:30 ΩJESD-609代码:e3
元件数量:1最高工作温度:150 °C
最大功率耗散:0.2 W标称参考电压:8.2 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)最大电压容差:2%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

GDZ8V2B-GS08 数据手册

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GDZ-Series  
Vishay Semiconductors  
VISHAY  
Small Signal Zener Diodes  
Features  
• Silicon Planar Power Zener Diodes  
• Low Zener impedence and low leakage current  
• Popular in Asian designs  
• Compact surface mount device  
• Ideal for automated mounting  
17431  
Mechanical Data  
Case: SOD-323 Plastic case  
Weight: approx. 5.0 mg  
Packaging Codes/Options:  
GS18/ 10 k per 13 " reel (8 mm tape), 10 k/box  
GS08/ 3 k per 7 " reel (8 mm tape), 15 k/box  
Absolute Maximum Ratings  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
200  
Unit  
mW  
Power dissipation  
P
d
Thermal Characteristics  
T
= 25 °C, unless otherwise specified  
amb  
Parameter  
Test condition  
Symbol  
Value  
150  
Unit  
°C  
Junction temperature  
T
j
Storage temperature range  
T
- 55 to + 150  
stg  
Document Number 85766  
Rev. 1.4, 08-Jul-04  
www.vishay.com  
1

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