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GDZ5.6B-35T/B

更新时间： 2024-02-13 16:03:42

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CHENG-YI		测试二极管
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Zener Diode,

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技术参数
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GDZ5.6B-35T/B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	13 Ω	元件数量：	1
最高工作温度：	175 °C	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	0.5 W	标称参考电压：	5.59 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	2.5%
工作测试电流：	20 mA

GDZ5.6B-35T/B 数据手册

GDZ2.0~GDZ56

PB FREE PRODUCT

AXIAL LEAD ZENER DIODES

Unit: inch (mm)

DO-35

500 mWatts

POWER

VOLTAGE

2.0 to 56 Volts

FEATURES

.020(0.52)TYP.

• Planar Die construction

• 500mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

MECHANICAL DATA

• Case: Molded Glass DO-35

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

• Approx. Weight: 0.13 grams

• Mounting Position: Any

.079(2.0)MAX.

• Ordering information

Suffix : “ -35 ” to order DO-35 Package

• Packing information

- 2K per Bulk box

T/R - 10K per 13" plastic Reel

T/B - 5K per horiz. tape & Ammo box

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Parameter

Power Dissipation at Tamb = 25 ^OC

Symbol

Value

500

Units

^OC

TOT

Junction Temperature

175

Storage Temperature Range

-65 to +175

^OC

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

Parameter

Symbol

RthA

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal Resistance Junction to Ambient Air

0.3

K/mW

Forward Voltage at IF = 100mA

Valid provided that leads at a distance of 10mm from case are kept at ambient temperature.

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与GDZ5.6B-35T/B相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GDZ5.6BD5	VISHAY	DIODE 5.6 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, PLASTIC, SOD-323, 2 P	获取价格
GDZ5.6C	FORMOSA	Zener diode	获取价格
GDZ5.6C-35B	CHENG-YI	Zener Diode,	获取价格
GDZ5.6C-35T/R	CHENG-YI	Zener Diode,	获取价格
GDZ51	WILLAS	AXIAL LEAD ZENER DIODES	获取价格
GDZ51-35T/R	CHENG-YI	Zener Diode,	获取价格