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GD600HFT60C2S PDF预览

GD600HFT60C2S

更新时间： 2024-04-09 18:58:58

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C2.0.Half Bridge

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GD600HFT60C2S 数据手册

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GD600HFT60C2S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR^TM

IGBT

GD600HFT60C2S

Preliminary

Molding Type Module

600V/600A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

UPS and SMPS.

Features

z

z

z

z

z

z

z

z

Low V_CE(sat)trench IGBT technology

Low switching losses

5μs short circuit capability

V_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175℃

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Equivalent Circuit Schematic

Typical Applications

z

z

z

UPS

Switching mode power supplies

Electronic welders

©2010 STARPOWER Semiconductor Ltd.

9/24/2010

1/6

Preliminary

12 3 4 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD600HFX65C2S	STARPOWER	C2.0-Half Bridge	获取价格
GD600HFX65C6H	STARPOWER	C6.12-Half Bridge	获取价格
GD600HFX65C6S	STARPOWER	C6.1-Half Bridge	获取价格
GD600HFY120C2S	STARPOWER	C2.0-Half Bridge	获取价格
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