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GD50HCU120B3S

更新时间： 2024-04-09 19:02:22

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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9页	245K
描述
B3.1.Full Bridge

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GD50HCU120B3S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD50HCU120B3S

Molding Type Module

1200V/50A 4 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultrafast

switching speed as well as short circuit ruggedness.

It’s designed for the applications such as electronic

welder and inductive heating.

Features

















NPT IGBT technology

10μs short circuit capability

Low switching losse

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Square RBSOA

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Switching mode power supplies

Inductive heating

Electronic welder

©2012 STARPOWER Semiconductor Ltd.

11/9/2012

1/9

Rev.A

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD50HFK120C1S	STARPOWER	C1.0-Half Bridge	获取价格
GD50HFK60C1S	STARPOWER	C1.0.Half Bridge	获取价格
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