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GD400TLT120E5S PDF预览

GD400TLT120E5S

更新时间： 2024-04-09 19:00:35

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
E5.0.3-level

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GD400TLT120E5S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD400TLT120E5S

1200V/400A in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

3-level-application.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

_CE(sat)with positive temperature coefficient

V

Low switching loss

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

Uninterruptible power supply

Solar power

Equivalent Circuit Schematic

©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.

12/19/2014

1/8

Preliminary

12 3 4 5 6 7 8

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与GD400TLT120E5S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GD4011BC	HYNIX	NAND GATE,	获取价格
GD4011BDC	HYNIX	NAND GATE,	获取价格
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GD4012BDC	ETC	Dual 4-input NAND Gate	获取价格
GD4013BC	ETC	Dual D-Type Flip-Flop	获取价格
GD4013BDC	ETC	Dual D-Type Flip-Flop	获取价格

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