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GD30PIX65C5S

更新时间： 2024-04-09 18:59:38

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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C5.0-PIM

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GD30PIX65C5S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD30PIX65C5S

650V/30A PIM in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

6μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.

2/10/2018

1/13

Preliminary

12 3 4 5 6 7...13

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与GD30PIX65C5S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD30PJT60F5S	STARPOWER	F5.1.PIM	获取价格
GD30PJX65F1S	STARPOWER	F1.1-PIM	获取价格
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GD30PJX65L2S	STARPOWER	L2.2-PIM	获取价格

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