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GD200FFX65P3S

更新时间： 2024-04-09 19:01:24

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
P3.0-3 Phase Bridge with NTC

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GD200FFX65P3S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD200FFX65P3S

650V/200A 6 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

hybrid and electric vehicle.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

6μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Automotive application

Hybrid and electric vehicle

Inverter for motor drive

Equivalent Circuit Schematic

©2017 STARPOWER Semiconductor Ltd.

6/8/2017

1/9

Preliminary

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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GD200FFY120C6SF	STARPOWER	C6.8-3 Phase Bridge with NTC	获取价格
GD200HFF120C2S	STARPOWER	C2.0-Half Bridge	获取价格
GD200HFF120C8S	STARPOWER	C8.0-Half Bridge	获取价格
GD200HFK120C2S	STARPOWER	C2.0.Half Bridge	获取价格
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