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GD150HFY120C6S

更新时间： 2024-04-09 19:01:20

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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描述
C6.1-Half Bridge

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GD150HFY120C6S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD150HFY120C6S

1200V/150A 2 in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

hybrid and electric vehicle.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated copper baseplate using DBC technology

Typical Applications







Hybrid and electric vehicle

Inverter for motor drive

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2017 STARPOWER Semiconductor Ltd.

6/25/2017

1/10

Preliminary

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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