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GD10PJX65F1S

更新时间： 2024-04-09 19:01:03

品牌	Logo	应用领域
斯达半导体 - STARPOWER		/
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12页	236K
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F1.1-PIM

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GD10PJX65F1S

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD10PJX65F1S

650V/10A PIM in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

6μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated heatsink using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2018 STARPOWER Semiconductor Ltd.

2/9/2018

1/12

Preliminary

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GD10PJX65F3S	STARPOWER	F3.0-PIM	获取价格
GD10PJX65L1S	STARPOWER	L1.2-PIM	获取价格
GD10PJX65L2S	STARPOWER	L2.2-PIM	获取价格
GD10PJY120L2S	STARPOWER	L2.2-PIM	获取价格
GD1200CUL170A3S/GD1200CLL170A3S	STARPOWER	A3.2.Chopper	获取价格
GD1200CUT170A3S/GD1200CLT170A3S	STARPOWER	A3.1.Chopper	获取价格

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