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GD10PJT120F1S_G8

更新时间： 2024-04-09 19:00:28

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斯达半导体 - STARPOWER		/
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F1.1.PIM

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GD10PJT120F1S_G8

IGBT Module

STARPOWER

SEMICONDUCTOR

IGBT

GD10PJT120F1S_G8

1200V/10A PIM in one-package

General Description

STARPOWER IGBT Power Module provides ultra

low conduction loss as well as short circuit ruggedness.

They are designed for the applications such as

general inverters and UPS.

Features















Low V_CE(sat)Trench IGBT technology

10μs short circuit capability

V

_CE(sat)with positive temperature coefficient

Maximum junction temperature 175^oC

Low inductance case

Fast & soft reverse recovery anti-parallel FWD

Isolated heatsink using DBC technology

Typical Applications







Inverter for motor drive

AC and DC servo drive amplifier

Uninterruptible power supply

Equivalent Circuit Schematic

©2014 STARPOWER Semiconductor Ltd.

11/11/2014

1/12

RI0A

12 3 4 5 6 7...12

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