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GCQ30A06

更新时间: 2024-11-25 14:53:51
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京瓷/艾维克斯 - KYOCERA AVX /
页数 文件大小 规格书
7页 650K
描述
Schottky barrier diodes are not PN junctions, but diodes that utilize potential barriers between s

GCQ30A06 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.6Is Samacsys:N
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):0.65 V
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流:200 A元件数量:2
相数:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:30 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:60 V最大反向电流:15000 µA
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GCQ30A06 数据手册

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