Datasheet > GBU806F

GBU806F

更新时间： 2024-09-13 19:34:23

品牌	Logo	应用领域
虹扬 - HY		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
2页	41K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBU, 4 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GBU806F 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
最小击穿电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	3.2 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	600 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

GBU806F 数据手册

GBU806F

GLASS PASSIVATED

BRIDGE RECTIFIERS

REVERSE VOLTAGE - 600Volts

FORWARD CURRENT - 8.0 Amperes

GBU

FEATURES

●Surge overload rating -200 amperes peak

.437(11.1)

.430(10.9)

.139(3.53)

.133(3.37)

● Ideal for printed circuit board

●Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

.126(3.2)*45°

.874(22.2)

.860(21.8)

CHAMFER

.161(4.1)

.134(3.4)

●Plastic material has U/L

.752(19.1)

.720(18.3)

.232(5.9)

.213(5.4)

the flammability classification 94V-0

●Mounting postition:Any

.401(10.2)

.392(9.80)

.073(1.85)

.057(1.45)

.100(2.54)

.085(2.16)

.720(18.29)

.680(17.27)

.106(2.7)

.091(2.3)

.080(2.03)

.065(1.65)

.047(1.2)

.035(0.9)

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.3) (5.3) (5.3)

(4.8) (4.8) (4.8)

Dimensions in inches and (milimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

GBU806F

600

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

VRRM

VRMS

VDC

420

Maximum RMS Voltage

600

Maximum DC Blocking Voltage

8.0

3.2

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

Rectified Current

@ TC=100℃ (without heatsink)

Peak Forward Surge Current

IFSM

200

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

0.95

Maximum Forward Voltage at 4.0A DC

10.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ TJ=25℃

μA

@ TJ=125℃

I²t

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

166

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Operating Temperature Range

-55 to +150

℃

Storage Temperature Range

TSTG

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 75mm*75mm*1.6mm Cu plate heatsink.

REV. 1, 18-Oct-2013

中文翻译

下载PDF

与GBU806F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU806G	JUXING	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
GBU806G	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 8.0AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU806-G	COMCHIP	获取价格	SMD Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU806H	ZOWIE	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU806-K	TSC	获取价格	8A, 400V - 1000V Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifiers
GBU806LC	ZOWIE	获取价格	Internal structure with GPRC (glass passivated rectifier chip) inside
GBU8-06-LFR	FRONTIER	获取价格	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
GBU807	CTC	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBU807	LGE	获取价格	Single Phase 8.0AMP.Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU807	TSC	获取价格	Single Phase 8.0 AMPS. Glass Passivated Bridge Rectifiers

与GBU806F相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

78
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

69
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

99
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

113

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GBU806F

GBU806F 技术参数

GBU806F 数据手册

与GBU806F相关器件

与GBU806F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GBU806F

GBU806F 技术参数

GBU806F 数据手册

与GBU806F相关器件

与GBU806F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？