GBU806

更新时间： 2024-10-30 10:41:07

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EIC		整流二极管桥式整流二极管
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2页	52K
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Glass Passivated

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GBU806 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	最小击穿电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	参考标准：	TS 16949
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU806 数据手册

Glass Passivated

Single-Phase Bridge Rectifiers

GBU8005 ~ GBU810

PRV : 50 - 1000 Volts

Io : 8.0 Amperes

0.187 (4.7)

0.148 (3.8)

0.88 (22.3)

0.86 (21.8)

9^oTyp.

0.310 (7.9)

0.290 (7.4)

FEATURES :

* Surge overload rating - 200 Amperes peak

* Ideal for printed circuit boards

* Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

0.085 (2.16)

0.065 (1.65)

~ ~ +

0.060 (1.52)

0.045 (1.14)

0.100 (2.54)

0.850 (2.16)

* Plastic material has Underwriters Laboratory

Flammability Classification 94V-0

* Mounting Position : Any

0.080 (2.03)

0.065 (1.65)

* Pb / RoHS Free

0.210 0.210 0.210

0.190 0.190 0.190

(5.33) (5.33) (5.33)

(4.83) (4.83) (4.83)

Dimensions in inches and ( millimeter )

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBU GBU GBU GBU GBU GBU GBU

SYMBOL

UNIT

RATING

8005 801

802

804

806

808

800 1000

560 700

800 1000

810

V_RRM

V_RMS

V_DC

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

100

200

400

600

140

200

280

400

8.0

3.2

420

600

Maximum DC Blocking Voltage

100

Maximum Average Forward

(with heatsink note2)

(without heatsink )

I_F(AV)

Output Current Tc=100°C

Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single half sine-

wave Superimposed on rated load (JEDEC Method)

Rating for fusing ( t < 8.3 ms. )

I_FSM

200

I²t

V_F

I_R

A²S

166

Maximum Instantaneous Forward Voltage at I_F= 4 A

1.0

5.0

500

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

T_J= 25 °C

I_R(H)

C_J

T_J= 100 °C

Typical Junction capacitance per element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

°C/W

°C

R_qJC

T_J

2.2

- 50 to + 150

T_STG

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC

(2) Device mounted on 100mm x 100mm x 1.6mm Cu. Plate heatsink.

Page 1 of 2

Rev. 02 : March 25, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU8-06	FRONTIER	获取价格	8A SILICON SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIERS
GBU806(LS)	DIODES	获取价格	8A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU806A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon,
GBU806AB1	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon,
GBU806C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU806C2	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU806C2G	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU806F	HY	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.2A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBU, 4 PIN
GBU806G	JUXING	获取价格	BRIDGE RECTIFIERS
GBU806G	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 8.0AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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