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GBU2508C

更新时间： 2024-02-08 10:26:07

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描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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GBU2508C 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.76
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	800 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	350 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	25 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBU2508C 数据手册

GBU10/15/25(C)SERIES

REVERSE VOLTAGE

FORWARD CURRENT - 10/15/25 Amperes

- 50 to 1000Volts

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

GBU-C

FEATURES

.156(3.95)

●Surge overload rating -240~400 amperes peak

.148(3.75)

.874(22.2)

.860(21.8)

3.2*3.2

CHAMFER

●Ideal for printed circuit board

●Reliable low cost construction utilizing

molded plastic technique

.154(3.9)

.146(3.7)

.752(19.1)

.720(18.3)

.232(5.9)

.224(5.7)

●Plastic material has U/L

flammability classification 94V-0

.079(2.0)

.063(1.6)

●Mounting postition:Any

.100(2.54)

.085(2.16)

.126(3.2)

.720(18.29)

.680(17.27)

.114(2.9)

.080(2.03)

.065(1.65)

.047(1.2)

.035(0.9)

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.3) (5.3) (5.3)

(4.8) (4.8) (4.8)

Dimensions in inches and (milimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

GBU

10005C 1001C

15005C 1501C

25005C 2501C

1002C

1502C

2502C

1004C

1504C

2504C

1006C

1506C

2506C

1008C

1508C

2508C

1010C

1510C

2510C

SYMBOL

UNIT

CHARACTERISTICS

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRRM

VRMS

VDC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

I(AV)

3.0

4.2

Rectified Current

@ TC=100℃ (without heatsink)

3.2

GBU

15C

GBU

25C

GBU

10C

Peak Forward Surage Current

300

400

240

IFSM

8.3ms Single Half Sine-Wave

Super Imposed on Rated Load (JEDEC Method)

1.1

Maximum Forward Voltage at 5.0/7.5/12.5A DC

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ TJ=25℃

500

@ TJ=125℃

I²t

A²s

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

200

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Operating Temperature Range

RθJC

℃/W

℃

2.2

-55 to +125

-55 to +150

Storage Temperature Range

TSTG

℃

NOTES: 1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm cu plate heatsink.

~ 287 ~

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与GBU2508C相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBU2508-G	COMCHIP	Glass Passivated Bridge Rectifiers	获取价格
GBU2510	SECOS	Molding Single-Phase Bridge Rectifier	获取价格
GBU2510	HY	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBU2510	CHENG-YI	SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS	获取价格
GBU2510	PANJIT	GBU-2	获取价格
GBU2510	MCC		获取价格

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