GBU10B

更新时间： 2024-11-06 15:19:51

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美微科 - MCC		/
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GBU10B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSFM-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.45
其他特性：	UL RECOGNIZED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	200 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	100 V	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED

GBU10B 数据手册

GBU10A

THRU

GBU10M

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

xꢀ Glass Passivated Chip junction

xꢀ High Surge Overload Rating

10 Amp Single Phase

Glass Passivated

Bridge Rectifiers

50 to 1000 Volts

•

UL Recognized File # E165989

•

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability

Classificatio Rating 94-0 and MSL Rating 1

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant (NOTE 1)("P" Suffix

designates RoHS Compliant. See ordering information)

Maximum Ratings

GBU

xꢀ Operating Temperature: -55к to +150к

xꢀ Storage Temperature: -55к to +150к

xꢀ Typical Thermal Resistance:2.2к/W Junction to Case(Heatsink)

Maximum

Recurrent

Maximum DC

Blocking

Voltage

MCC

Maximum

Part Number Peak Reverse RMS Voltage

Voltage

Case Style

GBU10A

GBU10B

GBU10D

GBU10G

GBU10J

GBU10K

GBU10M

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

35V

70V

50V

100V

200V

400V

600V

800V

1000V

3.2x45

140V

280V

420V

560V

700V

1.90 RADIUS

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Maximum Average

Forward Current

(with heatsink Note

T_C= 100к

I_F(AV)

10 A

DIMENSIONS

INCHES

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

DIM

MIN

.860

.720

.130

.690

.030

.018

.290

.140

.065

.089

.077

.040

.190

MAX

MIN

21.80

18.30

3.30

17.50

0.76

0.46

7.40

3.50

1.65

2.25

1.95

1.02

4.83

MAX

NOTE

I_FSM

200A

1.1V

8.3ms, half sine

.880

.740

.140

.710

.039

.022

.310

.160

.085

.108

.093

.050

.210

22.30

18.80

3.56

18.00

1.00

0.56

7.90

4.10

2.16

2.75

2.35

1.27

5.33

At 5A DC

V_F

T_A= 25к

5.0uA

500uA

I_R

T_A= 125к

Typical Junction

Capacitance

I²t Rating for Fusing

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

C_J

I²t

70pF

7.0 TYPICAL

200A²S t<8.3ms

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7

www.mccsemi.com

Revision: 6

2008/03/24

1 of 3

12 3

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与GBU10B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU10B-BP	MCC	获取价格	10 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers 50 to 1000 Volts
GBU10B-BP-HF	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBU10B-LF	WTE	获取价格	Rectifier Diode,
GBU10BP	MCC	获取价格	DIODE 10 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, GBU, 4 PIN, Bridge Rectifier
GBU10B-T	DIOTEC	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBU10C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU10D	MCC	获取价格	10 Amp Single Phase Glass Passivated Bridge Rectifiers 50 to 1000 Volts
GBU10D	GULFSEMI	获取价格	SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 10.0A
GBU10D	SECOS	获取价格	Molding Single-Phase Bridge Rectifier
GBU10D	DACHANG	获取价格	Single-phase Silicon Bridge Rectifier Reverse Voltage 50 to 1000V Forward Current 10 A

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