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GBU1006

更新时间： 2024-05-23 22:21:22

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GBU1006 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	R-PSFM-T4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	4.43	其他特性：	UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.1 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
最大非重复峰值正向电流：	175 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
最大输出电流：	3.2 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大重复峰值反向电压：	600 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

GBU1006 数据手册

GBU10005 THRU GBU1010

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts Forward Current - 10.0 Amperes

FEATURES

GBU

.437(11.1)

.430(10.9)

Ideal for printed circuit boards

Reliable low cost construction technique

results in inexpensive product

.139(3.56)

.130(3.30)

.126(3.2)*45°

.877(22.3)

.860(21.8)

CHAMFER

High temperature soldering guaranteed:

260 C/10 seconds/0.375" (9.5mm) lead length

at 5 Ibs.,(2.3kg) tension

.161(4.1)

.134(3.4)

.752(19.1)

.720(18.3)

.232(5.9)

.213(5.4)

.401(10.2)

.392(9.80)

.100(2.54)

.057(1.45)

.100(2.54)

.081(2.06)

MECHANICAL DATA

.720(18.29)

.680(17.27)

.106(2.7)

.091(2.3)

.080(2.03)

.065(1.65)

.005(1.27)

.035(0.9)

Case: Molded plastic

Lead: Solder plated

Polarity:As marked

.022(.56)

.018(.46)

.210 .210 .210

.190 .190 .190

(5.33) (5.33) (5.33)

(4.8) (4.8) (4.8)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

SYMBOLS

^{GBU10005 GBU1001 GBU1002 GBU1004 GBU1006 GBU1008 GBU1010}UNITS

VRRM

VRMS

VDC

VOLTS

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

100

200

140

200

400

280

600

420

600

800

560

800

1000

700

Maximum DC blocking voltage

100

400

1000

10.0

Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)

Rectified Current @ TC=100℃ (without heatsink)

I(AV)

Amps

3.0

220.0

1.1

Peak forward surge current

IFSM

Amps

Volts

8.3ms single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

Maximum instantaneous forward voltage at 5.0A

500

2.2

Maximum DC reverse current at

TA=25 C

rated DC blocking voltage per leg TA=125 C

Typical Thermal Resistance (Note 2)

C/W

RθJC

Typical Junction Capacitance Per Element (Note1)

I²t

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

Operating temperature range

storage temperature range

200

A²s

-55 to +150

TSTG

Notes:1.Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2.Device mounted on 100mm*100mm*1.6mm Cu plate heatsink.

DN:T13B19A0

STAR SEA

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBU1006(LS)	DIODES	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU1006A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifier
GBU1006C	HY	获取价格	SILICON BRIDGE RECTIFIERS
GBU1006C2	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU1006C2G	TSC	获取价格	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
GBU1006G	YFW	获取价格	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Reverse
GBU1006-G	ETC	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifiers
GBU1006H	ZOWIE	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBU1006LC	ZOWIE	获取价格	Low VF Bridge Rectifier
GBU1006TB	ETC	获取价格	BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A GBU

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