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GBPC3508 PDF预览

GBPC3508

更新时间： 2024-11-30 14:52:15
品牌 Logo 应用领域
EIC /
页数 文件大小 规格书
2页 118K
描述
Bridge Rectifiers

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GBPC3508 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：S-PUFM-D4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.57其他特性：HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：800 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：S-PUFM-D4最大非重复峰值正向电流：400 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
参考标准：TS 16949最大重复峰值反向电压：800 V
表面贴装：NO端子形式：SOLDER LUG
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GBPC3508 数据手册

 浏览型号GBPC3508的Datasheet PDF文件第2页 
TH09/2479  
IATF 0113686  
TH97/2478  
SGS TH07/1033  
www.eicsemi.com  
GLASS PASSIVATED SINGLE-  
PHASE BRIDGE RECTIFIERS  
GBPC35005 - GBPC3510  
PRV : 50 - 1000 Volts  
Io : 35 Amperes  
BR50  
0.728(18.50)  
0.688(17.40)  
FEATURES :  
* Glass passivated junction chip  
* High surge current capability  
* High current capability  
* High reliability  
1.137(28.90)  
1.114(28.30)  
0.570(14.50)  
0.530(13.40)  
0.685(16.70)  
0.618(15.70)  
* Low reverse current  
* Low forward voltage drop  
* Pb / RoHS Free  
0.210(5.30)  
0.200(5.10)  
0.658(16.70)  
0.618(15.70)  
MECHANICAL DATA :  
* Case : Molded plastic with heatsink integrally  
mounted in the bridge encapsulation  
* Epoxy : UL94V-0 rate flame retardant  
* Terminals : plated .25" (6.35 mm). Faston  
* Polarity : Polarity symbols marked on case  
* Mounting position : Bolt down on heat-sink with  
silicone thermal compound between bridge  
and mounting surface for maximum heat  
transfer efficiency.  
0.252(6.40)  
0.248(6.30)  
0.032(0.81)  
0.028(0.71)  
φ0.100(2.50)  
0.090(2.30)  
0.905(23.0)  
0.826(21.0)  
0.310(7.87)  
0.280(7.11)  
Metal Heatsink  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
* Weight : 17.1 grams  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Rating at 25 °C ambient temperature unless otherwise noted.  
GBPC GBPC GBPC GBPC GBPC GBPC GBPC  
35005 3501 3502 3504 3506 3508 3510  
RATING  
SYMBOL  
UNIT  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Bridge Input Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
35  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
A
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
1000  
IF(AV)  
Maximum Average Forward Current Tc = 50 °C (Fig.1)  
Peak Forward Surge Current Single Sine Wave  
Superimposed on Rated Load  
IFSM  
400  
660  
1.1  
A
I2t  
A2sec  
V
Rating for fusing (non-repetitive, 1ms < t < 8.3 ms)  
at IF = 17.5 A  
Maximum Instantaneous Forward  
Voltage Drop Per Diode  
VF  
IR  
IR(H)  
5
Maximum DC Reverse Current at  
Rated DC Blocking Voltage Per Diode  
Ta = 25 °C  
μA  
μA  
500  
300  
1.4  
Ta = 125 °C  
CJ  
Typical Junction Capacitance Per Diode (at 4 V, 1MHz)  
pF  
(1)  
RӨJC  
TJ, TSTG  
°C/W  
°C  
Typical Thermal Resistance form Junction to Case  
- 55 to + 150  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Note : (1) With heatsink  
Page 1 of 2  
Rev. 00 : June 24, 2009  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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