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GBPC2508W

更新时间： 2024-09-30 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 局域网PC瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 323K
描述
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier

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GBPC2508W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：compliant
风险等级：2.1Is Samacsys：N
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.1 V最大非重复峰值正向电流：300 A
元件数量：4最高工作温度：150 °C
最大输出电流：25 A最大重复峰值反向电压：800 V
子类别：Bridge Rectifier Diodes表面贴装：NO
Base Number Matches：1

GBPC2508W 数据手册

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GBPC2506T/W thru GBPC2510T/W  
VRRM = 600 V - 1000 V  
IO = 25 A  
Single Phase Glass Passivated  
Silicon Bridge Rectifier  
Features  
• Integrally molded heat sink provides low thermal resistance  
for maximum heat dissipation  
• High surge current capability  
• Universal 3-way terminals: snap on, wire-around, or P.C  
board mounting  
GBPC-T/W Package  
• High temperature soldering guaranteed: 260⁰C/ 10  
seconds at 5 lbs (2.3 kg) tension  
• Not ESD Sensitive  
Mechanical Data  
Case: Molded plastic with heat sink integrally mounted in the bridge  
encapsulation  
Terminals: Either nickel plated 0.25". Faston lugs or copper leads  
0.040" diameter.  
Polarity: Polarrity symbols marked on the body  
Mounting position: Bolt down on heat-sink with silicone thermal  
compound between bridge and mounting surface  
Weight: 15 grams or 0.53 ounces  
Mounting torque: 20 inch-lbs max  
Maximum ratings at Tc = 25 °C, unless otherwise specified (GBPCXXXXT uses GBPC-T package while GBPCXXXXW  
uses GBPC-W package)  
Conditions  
GBPC2510T/W  
Parameter  
Symbol  
GBPC2506T/W  
GBPC2508T/W  
Unit  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Tj  
1000  
700  
Repetitive peak reverse voltage  
RMS reverse voltage  
600  
420  
800  
560  
V
V
1000  
DC blocking voltage  
600  
800  
V
-55 to 150  
-55 to 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
-55 to 150  
°C  
°C  
Tstg  
Electrical characteristics at Tc = 25 °C, unless otherwise specified  
Single phase, half sine wave, 60 Hz, resistive or inductive load  
For capacitive load derate current by 20%  
Conditions  
GBPC2510T/W  
Parameter  
Symbol  
GBPC2506T/W  
GBPC2508T/W  
Unit  
Maximum average forward rectified  
current  
Tc = 50 °C  
IO  
25.0  
300  
1.1  
25.0  
300  
1.1  
25.0  
300  
1.1  
A
IFSM  
VF  
single sine-wave  
IF = 12.5 A  
Peak forward surge current  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per leg  
A
V
Ta = 25 °C  
Ta = 125 °C  
5
5
5
Maximum DC reverse current at  
rated DC blocking voltage per leg  
IR  
I2t  
μA  
A2sec  
V
500  
375  
500  
375  
500  
375  
Rating for fusing  
RMS isolation voltage from case to  
leads  
1 ms < tm < 8.3 ms  
VISO  
2500  
2500  
2500  
Cj  
300  
1.9  
300  
1.9  
300  
1.9  
pF  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
RΘJC  
°C/W  
1
Apr 2016  
Latest version of this datasheet at: www.genesicsemi.com/silicon-products/bridge-rectifiers/  
1234

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GBPC2508W 替代型号

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