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GBPC25005T

更新时间： 2024-11-21 01:01:59

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GENESIC		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	342K
描述
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier

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GBPC25005T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.1 V
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	25 A
最大重复峰值反向电压：	50 V	子类别：	Bridge Rectifier Diodes
Base Number Matches：	1

GBPC25005T 数据手册

MURH10005 thru MURH10020R

V_RRM= 50 V - 200 V

I_F(AV)= 100 A

Silicon Super Fast

Recovery Diode

Features

• High Surge Capability

• Types from 50 V to 200 V V_RRM

• Not ESD Sensitive

D-67 Package

Maximum ratings, at T_j= 25 °C, unless otherwise specified ("R" devices have leads reversed)

Conditions

MURH10020(R)

Parameter

Symbol

MURH10005(R)

MURH10010(R)

Unit

V_RRM

200

Repetitive peak reverse voltage

100

V_RMS

V_DC

T_j

140

RMS reverse voltage

DC blocking voltage

Operating temperature

Storage temperature

200

100

-55 to 150

°C

T_stg

Electrical characteristics, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

Conditions

MURH10020(R)

Parameter

Symbol

MURH10005(R)

MURH10010(R)

Unit

Average forward current (per

pkg)

T_C= 140 °C

I_F(AV)

I_FSM

V_F

100

t_p= 8.3 ms, half sine

2000

Peak forward surge current

2000

Maximum instantaneous

forward voltage

_FM= 100 A, T_j= 25 °C

1.0

T_j= 25 °C

T_j= 125 °C

μA

Maximum reverse current at

rated DC blocking voltage

I_R

I_F=0.5 A, I_R=1.0 A,

T_rr

Maximum reverse recovery time

_RR= 0.25 A

Thermal characteristics

Maximum thermal resistance,

junction - case

R_ΘJC

0.45

°C/W

www.genesicsemi.com/silicon-products/super-fast-recovery-rectifiers/

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GBPC25005T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
KBPC25005	BL Galaxy Electrical	功能相似	SILICON BRIDGE RECTIFIERS

与GBPC25005T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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GBPC25005TW	GENESIC	获取价格	Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
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