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GBPC1016PS PDF预览

GBPC1016PS

更新时间： 2024-01-08 19:16:51
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
4页 43K
描述
Bridge Rectifier Diode,

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GBPC1016PS 技术参数

生命周期：Active包装说明：S-PUFM-D4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69其他特性：LOW POWER LOSS, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1600 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：S-PUFM-D4
最大非重复峰值正向电流：250 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：SQUARE封装形式：FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压：1600 V表面贴装：NO
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
Base Number Matches：1

GBPC1016PS 数据手册

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®
GBPC10PS SERIES  
10A GLASS PASSIVATED SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
A
D
Low Reverse Leakage Current  
Low Power Loss, High Efficiency  
Heatsink Integrated Epoxy Case for  
Maximum Heat Dissipation  
Low Thermal Resistance  
High Surge Current Capability  
Recognized File # E157705  
KBPC-PS  
G
Dim  
A
Min  
28.40  
—
Max  
28.70  
10.16  
22.50  
10.00  
25.40  
C
K
D
B
C
21.00  
9.00  
—
D
C
E
G
H
5.08Ø Nominal  
6.35 Typical  
Mechanical Data  
H
J
Case: Epoxy Case with Heatsink Internally  
Mounted in the Bridge Encapsulation  
Terminals: Plated Faston Lugs  
Polarity: As Marked on Case  
Mounting: Through Hole with #10 Screw  
Mounting Torque: 2.0 N.m Max.  
Weight: 20 grams (approx.)  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
J
0.71  
0.91  
K
2.5Ø Typical  
E
All Dimension in mm  
B
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
GBPC10  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
00PS 01PS 02PS 04PS 06PS 08PS 10PS 12PS 14PS 16PS  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
70  
140 280 420 560 700 840 980 1120  
10  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 55°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed  
on Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
250  
1.1  
A
Forward Voltage per leg  
@IF = 5.0A  
VFM  
IRM  
V
Peak Reverse Current  
@TC = 25°C  
10  
500  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage @TC = 125°C  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms)  
I2t  
CJ  
260  
200  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
RMS Isolation Voltage, t = 1min  
RθJC  
VISO  
1.9  
°C/W  
V
2500  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
°C  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Thermal resistance junction to case, mounted on 152 x 56 x 56mm Al. heatsink.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
1234

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