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GBP201

更新时间： 2024-11-10 14:53:07
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WON-TOP /
页数 文件大小 规格书
4页 139K
描述
Single In-Line

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GBP201 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSIP-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.68其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：100 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-T4最大非重复峰值正向电流：60 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GBP201 数据手册

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®
GBP200 – GBP210  
2.0A GLASS PASSIVATED SINGLE PHASE BRIDGE RECTIFIER  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Compact Package 3.5mm Case Thickness  
Glass Passivated Die Construction  
Low Forward Voltage Drop  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Recognized File # E157705  
A
H
GBP  
Min  
Dim  
A
B
C
D
E
Max  
15.00  
11.50  
4.00  
B
D
14.00  
10.20  
3.00  
+
~
~
-
G
P
13.80  
1.80  
15.50  
2.70  
K
E
G
H
J
1.15  
1.45  
Mechanical Data  
P
P
2.80 x 45°  
Case: GBP, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 1.7 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
1.30  
0.60  
0.30  
3.56  
1.60  
0.86  
0.60  
4.06  
K
L
C
P
All Dimensions in mm  
J
L
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
GBP  
200  
GBP  
201  
GBP  
202  
GBP  
204  
GBP  
206  
GBP  
208  
GBP  
210  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
2.0  
V
A
Average Rectified Output Current  
@TA = 50°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single Half Sine-Wave Superimposed on  
Rated Load (JEDEC Method)  
IFSM  
60  
A
Forward Voltage per leg  
@IF = 1.0A  
VFM  
IRM  
1.0  
V
Peak Reverse Current  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 25°C  
@TA = 125°C  
5.0  
500  
µA  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms)  
I2t  
15  
25  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance (Note 1)  
CJ  
Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 2)  
Thermal Resistance Junction to Lead (Note 2)  
RθJA  
RθJL  
32  
13  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.  
2. Mounted on PCB with 12 x 12mm copper pads and measured at lead length 9.5mm from case.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: May, 2019  
www.wontop.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBP201_V01 SENO

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 		2.0A BRIDGE RECTIFIER
GBP2010 WTE

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GBP2010 PANJIT

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GBP2010-G SENSITRON

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 		Rectifier Diode,
GBP201A YANGJIE

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 		暂无描述
GBP201AB1 YANGJIE

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GBP201G DACHANG

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 		Single phase Silicon Bridge Rectifiers
GBP201S YANGJIE

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 		暂无描述
GBP201SB1 YANGJIE

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 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 2A, 100V V(RRM), Silicon,
GBP202 FRONTIER

获取价格

 		2A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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