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GBLC12C

更新时间: 2024-02-10 11:17:04
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申泰 - SAMTEC 二极管光电二极管局域网
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2页 258K
描述
Ultra Low Capacitance Transient Voltage Suppressor Arrays

GBLC12C 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:R-PDSO-G2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68其他特性:ULTRA LOW CAPACITANCE
最小击穿电压:13.3 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-G2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值反向功率耗散:350 W元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:12 V表面贴装:YES
技术:AVALANCHE端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

GBLC12C 数据手册

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