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GBJ8G PDF预览

GBJ8G

更新时间： 2024-01-15 20:40:12
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CHENG-YI 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
2页 158K
描述
SILICON BRIDGE RECTIFIERS GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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GBJ8G 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.6
其他特性：UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY最小击穿电压：1000 V
外壳连接：ANODE配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：2最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
最大重复峰值反向电压：1000 V表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

GBJ8G 数据手册

 浏览型号GBJ8G的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ/KBJ8A thru GBJ/KBJ8M  
SSIILLIICCOONN BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
GGLLAASSSS PPAASSSSIIVVAATTEEDD  
CCHHEENNGG--YYII  
BBRRIIDDGGEE RREECCTTIIFFIIEERRSS  
ELECTRONIC  
REVERSE VOLTAGE -50 to 1000 Volts  
FORWARD CURRENT -8.0 Amperes  
HIKE FOR NO.  
6 SCRES  
5.16  
FEATURES  
Rating to 1000V PRV  
Ideal for printed circuit board  
Low forward voltage drop, high current capability  
Reliable low cost construction utilizing  
molded plastic technique results in  
inexpensive product  
SPACING  
The plastic material has UL  
flammability classification 94V-O  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
0
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
GBJ  
KBJ  
8B  
GBJ  
KBJ  
8D  
GBJ  
KBJ  
8G  
GBJ  
KBJ  
8J  
GBJ  
KBJ  
8K  
GBJ  
KBJ  
8M  
SYMBOL  
CHARACTERISTICS  
KBJ  
8A  
UNITS  
VRRM  
VRMS  
VDC  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC Voltage  
100  
1000  
8.0  
2.9  
Maximum Average Forward (with heatsink Note 2)  
I(AV)  
A
0
Rectified Current @ T =100 C (without heatsink)  
C
Peak Forward Surge Current  
8.3 ms single half sine-wave  
IFSM  
170  
A
superimposed on rated load (JEDEC Method)  
V
1.0  
5.0  
V
F
Maximum Forward Voltage at 4.0A DC  
0
=25 C  
T
J
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC Blocking Voltage  
@
@
IR  
A
0
=125 C  
T
J
500  
120  
2
2
2
A S  
I t Rating for fusing (t<8.3ms)  
I t  
Typical Junction Capacitance  
per element (Note 1)  
F
P
C
55  
J
0
Typical Thermal Resistance (Note 2)  
Operating Temperature Range  
Storage Temperature Range  
1.6  
R
JC  
C/W  
0
T
-55 to +150  
-55 to +150  
C
J
0
TSTG  
C
NOTES: 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
2. Device mounted on 100mm x 100mm X 1.6mm Cu Plate Heatsink.  
12

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