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GBJ35J-LF

更新时间: 2024-01-23 08:03:09
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
4页 55K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 35A, 600V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ-6, 4 PIN

GBJ35J-LF 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
针数:4Reach Compliance Code:compliant
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.61
其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED最小击穿电压:600 V
外壳连接:ISOLATED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流:350 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:35 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

GBJ35J-LF 数据手册

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MARKING INFORMATION  
WTE  
GBJ  
WTE  
GBJ35x  
x
= Manufacturer’s Logo  
= Device Number  
35x  
= A, B, D, G, J, K or M  
= As Marked on Body  
+
~
~
-
Polarity  
PACKAGING INFORMATION  
BULK  
Tube Size  
Quantity  
(PCS)  
Inner Box Size  
L x W x H (mm)  
Quantity  
(PCS)  
Carton Size  
Quantity  
(PCS)  
Approx. Gross Weight  
(KG)  
L x W x H (mm)  
L x W x H (mm)  
475 x 40 x 7  
15  
490 x 145 x 135  
750  
510 x 305 x 160  
1,500  
16.0  
1. Anti-static tube, water clear color.  
Note:  
GBJ35A – GBJ35M  
3 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  

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