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GBJ35A

更新时间： 2024-01-05 00:07:24
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WTE 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
35A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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GBJ35A 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.61其他特性：HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：350 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：35 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

GBJ35A 数据手册

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WTE  
POWER SEMICONDUCTORS  
Pb  
GBJ35A – GBJ35M  
35A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER  
Features  
!
Glass Passivated Die Construction  
!
!
!
!
!
!
Low Forward Voltage Drop  
High Current Capability  
High Reliability  
High Surge Current Capability  
Ideal for Printed Circuit Boards  
Recognized File # E157705  
A
G
GBJ-6  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.7  
19.7  
—
Max  
30.3  
20.3  
5.0  
B
D
C
+
~
~
-
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ H  
K
17.0  
3.8  
18.0  
4.2  
J
E
G
H
J
3.1Ø  
2.3  
3.4Ø  
2.7  
Mechanical Data  
P
R
R
!
!
Case: GBJ-6, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
0.9  
1.1  
M
K
L
1.8  
2.2  
N
0.6  
0.8  
!
!
!
!
!
Polarity: As Marked on Body  
Weight: 7.0 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 in-lbs) Max.  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4  
M
N
P
4.4  
4.8  
3.4  
3.8  
S
G
9.8  
10.2  
7.7  
R
S
7.3  
10.8  
2.3  
11.2  
2.7  
T
T
L
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
35A  
GBJ  
35B  
GBJ  
35D  
GBJ  
35G  
GBJ  
35J  
GBJ  
35K  
GBJ  
35M  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
VRRM  
VRWM  
VR  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
RMS Reverse Voltage  
VR(RMS)  
IO  
280  
35  
V
A
Average Rectified Output Current @TC = 100°C  
(Note 1)  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
8.3ms Single half sine-wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
350  
1.1  
A
Forward Voltage per diode  
@IF = 17.5A  
VFM  
IR  
V
Peak Reverse Current  
@TA = 25°C  
10  
350  
µA  
At Rated DC Blocking Voltage  
@TA = 125°C  
Typical Thermal Resistance per leg (Note 2)  
Typical Thermal Resistance per leg (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
RꢀJA  
RꢀJC  
22  
1.0  
°C/W  
°C/W  
°C  
Tj, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Device mounted on 220 x 220 x 1.6mm thick Al plate heatsink.  
2. Device mounted on P.C.B. without heatsink.  
GBJ35A – GBJ35M  
1 of 4  
© 2006 Won-Top Electronics  
1234

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