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GBJ25K-LF

更新时间: 2024-10-01 19:59:55
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SURGE 局域网二极管
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4页 1963K
描述
Bridge Rectifier Diode,

GBJ25K-LF 技术参数

生命周期:Active包装说明:R-PSFM-T4
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.59其他特性:HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压:800 V配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流:350 A
元件数量:4相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C最大输出电流:25 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT最大重复峰值反向电压:800 V
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

GBJ25K-LF 数据手册

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