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GBJ25K

更新时间： 2024-02-25 09:41:37

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描述
SINTERED GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBJ25K 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE

GBJ25K 数据手册

GBJ25A THRU GBJ25M

SINTERED GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

Forward Current - 25.0 Amperes

GBJ

FEATURES

1.193(30.3)

1.169(29.7)

.203(5.16)

.189(4.80)

HOLE FOR NO.

6 SCREW

.150(3.8)

.134(3.4)

* Internal Constructure with GPRC (Glass Passivated Rectifier Chip)

inside

.134 (3.4)

.122 (3.1)

* High Case Dielectric Strength of 1500VRMS

* Low Reverse Leakage Current

~ -

* High Surge Current Capability

.106(2.7)

.096(2.3)

.114(2.9)

.098(2.5)

* Ideal for Printed Circuit Board Applications

* Plastic Material-UL Recognition Flammability

Classification 94V-0

.094(2.4)

.078(2.0)

.043(1.1)

.035(0.9)

.031(0.8)

.023(0.6)

.402 .303 .303

.386 .287 .287

(10.2) (7.7) (7.7)

(9.8) (7.3) (7.3)

MECHANICAL DATA

*Dimensions in inches and (millimeters)

Case : GBJ molded plastic

Terminals : Plated Leads, solderable per MIL-STD-750,

Method 2026

Polarity : Molded on body

SuperBridge with GPRC inside

Mounting : Through Hole for # 6 screw

Mounting torque : 5.0 in-lbs maximum

Weight : 6.6 grams

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 ^oC ambient temperature

GBJ25A GBJ25B GBJ25D GBJ25G GBJ25J GBJ25K GBJ25M

SYMBOLS

UNITS

unless otherwise specified.

Volts

Maximum repetitive peak reverse voltage

Maximum RMS voltage

RRM

RMS

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

1000

700

1000

Maximum DC blocking voltage

100

Maximum average forward (with heatsink Note 2) rectified

current at TC

=100^oC

(AV)

Amps

Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave

superimposed on rated load (JEDEC Method)

FSM

350

Amps

Volts

Maximum instantaneous forward voltage @ I

=12.5 A

1.05

Maximum DC reverse current

at rated DC blocking voltage

=25^oC

=125^oC

500

A²s

I²t rating for fusing ( t < 8.3ms )

I²t

510

Typical junction capacitance per element (NOTE 1)

Typical thermal resistance (NOTE 2)

0.6

K / W

^oC

Operating junction and storage temperature range

,TSTG

-55 to +175

NOTES : (1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 V DC.

(2) Device mounted on 300 x 300 x 1.6mm Cu Plate Heatsink.

Zowie Technology Corporation

06/2003

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GBJ25K 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
GBJ2508-BP-HF	MCC	功能相似	Bridge Rectifier Diode, 25A, 800V V(RRM),

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBJ25KG	SHIKUES	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBJ25KH	ZOWIE	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ25KH	DIODES	获取价格	25A GLASS PASIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ25KH(LS)	DIODES	获取价格	25A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ25K-LF	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode,
GBJ25K-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 25A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ-6
GBJ25L06	DIODES	获取价格	25A ULTRA LOW VF BRIDGE RECTIFIER
GBJ25L06	MCC	获取价格
GBJ25L08	MCC	获取价格
GBJ25M	SURGE	获取价格	Bridge Rectifier Diode,

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