GBJ25J

更新时间： 2024-01-08 14:35:52

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描述
25A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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GBJ25J 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	其他特性：	HIGH RELIABILITY, UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	最大非重复峰值正向电流：	350 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	25 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	最大重复峰值反向电压：	1000 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE

GBJ25J 数据手册

WTE

POWER SEMICONDUCTORS

GBJ25A – GBJ25M

25A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

Features

Glass Passivated Die Construction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

Recognized File # E157705

GBJ-6

Dim

Min

29.7

19.7

—

Max

30.3

20.3

5.0

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ H

17.0

3.8

18.0

4.2

3.1Ø

2.3

3.4Ø

2.7

Mechanical Data

Case: GBJ-6, Molded Plastic

Terminals: Plated Leads Solderable per

MIL-STD-202, Method 208

0.9

1.1

1.8

2.2

0.6

0.8

Polarity: As Marked on Body

Weight: 7.0 grams (approx.)

Mounting Position: Any

Mounting Torque: 10 cm-kg (8.8 in-lbs) Max.

Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,

Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4

4.4

4.8

3.4

3.8

9.8

10.2

7.7

7.3

10.8

2.3

11.2

2.7

All Dimensions in mm

Maximum Ratings and Electrical Characteristics ^@T_A^{=25°C unless otherwise specified}

Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBJ

25A

GBJ

25B

GBJ

25D

GBJ

25G

GBJ

25J

GBJ

25K

GBJ

25M

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

V^RWM

V^R

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

Average Rectified Output Current @T_C= 100°C

(Note 1)

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

I^FSM

350

Forward Voltage per diode

@I_F= 12.5A

V^FM

I^R

1.05

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_A= 25°C

@T_A= 125°C

350

µA

Typical Thermal Resistance per leg (Note 2)

Typical Thermal Resistance per leg (Note 1)

Operating and Storage Temperature Range

R^ꢀ^JA

R^ꢀ^JC

1.0

°C/W

°C

T^j,T^STG

-55 to +150

Note: 1. Device mounted on 220 x 220 x 1.6mm thick Al plate heatsink.

2. Device mounted on P.C.B. without heatsink.

GBJ25A – GBJ25M

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