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GBJ2010-BP

更新时间： 2024-01-18 01:56:56

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		局域网二极管
页数	文件大小	规格书
3页	351K
描述
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 1000V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ, 4 PIN

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GBJ2010-BP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ, 4 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	0.93	其他特性：	UL RECOGNIZED
最小击穿电压：	1000 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	240 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBJ2010-BP 数据手册

GBJ20005

THRU

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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GBJ2010

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

20 Amp

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

•

Glass Passivated

Bridge Rectifier

50 to 1000 Volts

Rating to 1000V PRV

•

Ideal for printed circuit board

Low forward voltage drop, high current capability.

UL Recognized File # E165989

•

Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"

GBJ

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

•

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Mounting torque: 5in-lbs.

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Reccurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

GBJ20005

GBJ2001

GBJ2002

GBJ2004

GBJ2006

GBJ2008

GBJ20005

GBJ2001

GBJ2002

GBJ2004

GBJ2006

GBJ2008

GBJ2010

35V

70V

100V

200V

100V

200V

140V

280V

420V

560V

700V

400V

600V

400V

600V

800V

1000V

800V

1000V

GBJ2010

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

DIM

MIN

1.170

.780

.670

.019

.430

MAX

1.190

.800

.710

.019

.440

MIN

29.70

19.70

17.00

4.70

MAX

NOTE

Average Forward

Current

I_F(AV)

20 A

Tc = 100°C

30.30

20.30

18.00

4.90

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

I_FSM

240A

8.3ms, half sine

10.80

11.20

.090

.120

.130

.110

.130

.150

2.30

3.10

3.40

2.70

3.40

3.80

I^FM= 10.0 A

V_F

1.05V

.170

.100

.020

.080

.040

.390

.190

.110

.030

.090

.040

.400

4.40

2.50

0.60

2.00

0.90

9.80

4.80

2.90

T_J= 25°C

0.80

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

2.40

I_R

10 µA TJ = 25°C

1.10

10.20

500uA

T^J= 125°C

.290

.150

.300

.170

7.30

3.80

7.70

4.20

Typical thermal

resistance

R_OJC

C_J

0.8 /W

°C

60 pF

Typical Junction

Capacitance

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: B

2013/01/01

12 3

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与GBJ2010-BP相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBJ2010-F	DIODES	20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ2010G	DYELEC	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ2010S	MCC		获取价格
GBJ2010T	DYELEC	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ2012	SIRECTIFIER	Single Phase Bridge Rectifiers	获取价格
GBJ2012	NELLSEMI	Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier	获取价格

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