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GBJ2008-B

更新时间： 2024-09-18 13:07:55

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美微科 - MCC		二极管局域网
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3页	340K
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Rectifier Diode,

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GBJ2008-B 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.43	JESD-609代码：	e0
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

GBJ2008-B 数据手册

GBJ20005

THRU

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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GBJ2010

Features

•

Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates

20 Amp

RoHS Compliant. See ordering information)

Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating

Moisture Sensitivity Level 1

•

Glass Passivated

Bridge Rectifier

50 to 1000 Volts

Rating to 1000V PRV

•

Ideal for printed circuit board

Low forward voltage drop, high current capability.

UL Recognized File # E165989

GBJ

Maximum Ratings

•

Operating Temperature: -55°C to +150°C

Storage Temperature: -55°C to +150°C

Mounting torque: 5in-lbs.

MCC

Catalog

Number

Device

Marking

Maximum

Reccurrent

Peak Reverse

Voltage

50V

Maximum Maximum

RMS

Voltage

Blocking

Voltage

50V

GBJ20005

GBJ2001

GBJ2002

GBJ2004

GBJ2006

GBJ2008

GBJ2010

35V

70V

GBJ20005

GBJ2001

GBJ2002

GBJ2004

GBJ2006

GBJ2008

100V

200V

100V

200V

140V

280V

420V

560V

700V

400V

600V

400V

600V

800V

1000V

800V

1000V

GBJ2010

DIMENSIONS

Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified

INCHES

DIM

MIN

1.170

.780

.670

.019

.430

.090

.120

.130

MAX

1.190

.800

.710

.019

.440

.110

.130

.150

MIN

29.70

19.70

17.00

4.70

MAX

NOTE

Average Forward

Current

I_F(AV)

20 A

Tc = 100°C

30.30

20.30

18.00

4.90

Peak Forward Surge

Current

Maximum

Instantaneous

Forward Voltage

I_FSM

240A

8.3ms, half sine

10.80

2.30

11.20

2.70

3.10

3.40

I^FM= 10.0 A

3.40

3.80

V_F

1.05V

.170

.100

.020

.080

.040

.390

.190

.110

.030

.090

.040

.400

4.40

2.50

0.60

2.00

0.90

9.80

4.80

2.90

T_J= 25°C

0.80

Maximum DC

Reverse Current At

Rated DC Blocking

Voltage

2.40

I_R

10 µA TJ = 25°C

1.10

10.20

500uA

T^J= 125°C

.290

.150

.300

.170

7.30

3.80

7.70

4.20

Typical thermal

resistance

R_OJC

C_J

0.8 /W

°C

60 pF

Typical Junction

Capacitance

Measured at

1.0MHz, V_R=4.0V

*Pulse Test: Pulse Width 300µsec, Duty Cycle 1%

Notes: 1. High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex Notes 7.

www.mccsemi.com

1 of 3

Revision: A

2011/01/01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBJ2008-BP	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ,
GBJ2008-BP-HF	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 20A, 800V V(RRM),
GBJ2008-F	DIODES	获取价格	20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ2008G	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ2008T	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ201	HY	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
GBJ201	SECOS	获取价格	2.0AMP Glass Passivated Bridge Rectifiers
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GBJ201	CZSTARSEA	获取价格	GBJ
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