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GBJ2008

更新时间： 2024-01-06 18:56:26

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描述
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBJ2008 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
HTS代码：	8541.10.00.80	Factory Lead Time：	45 weeks
风险等级：	1.5	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	800 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值正向电流：	240 A
元件数量：	4	相数：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	20 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBJ2008 数据手册

CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

GBJ20005 THRU GBJ2010

GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE：50-1000V

CURRENT：20.0A

FEATURES

·Low leakage

GBJ

.189(4.8)

.173(4.4)

1.193(30.3)

1.169(29.7)

·Low forward voltage

·Surge overload ratings-240 Amperes

HOLE FOR NO.

.150(3.8)

.134(3.4)

6 SCREW

.119

(0.5)

.800(20.3)

.697(17.7)

.441(11.2)

.425(10.8)

.184(3.4)

.122(3.1)

+ ~ ~ -

.106(2.7)

.096(2.3)

.094(2.4)

.078(2.0)

.043(1.1)

.035(0.9)

.114(2.9)

.098(2.5)

.708(18.0)

.669(17.0)

.165(4.2)

.150(3.8)

.031(0.8)

.023(0.6)

MECHANICAL DATA

·Case: Molded plastic

·Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

·Lead: MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed

·Polarity: Symbols molded or marked on body

·Mounting: Thru hole for 6# screw

·Weight: 6.6 grams

.402(1.1)

.386(0.9)

.303(7.7)

.287(7.3)

.303(7.7)

.287(7.3)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ

20005 2001 2002 2004 2006 2008 2010

units

SYMBOL

V_RRM

V_RMS

V_DC

100 200 400 600 800 1000

70 140 280 420 560 700

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100 200 400 600 800 1000

Maximum Average Forward rectified Output

Current at T_C=100°C

I_o

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rate load (JEDEC

method)

I_FSM

240

Maximum Forward Voltage Drop per element at

10.0 A DC

V_F

1.1

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

per element

@ T_A=25°C

I_R

µA

500

@ T_A=125°C

I²t

C_J

240

A²S_ec

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

Typical Junction Capacitance per Element(Note 1)

Typical Thermal Resistance, Junction to Case

(Note 2)

R_θJA

2.7

°C/W

Notes: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.

１

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GBJ2008(LS)	DIODES	获取价格	20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ2008A	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ2008A	YANGJIE	获取价格	Bridge Rectifiers
GBJ2008-B	MCC	获取价格	Rectifier Diode,
GBJ2008-BP	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 20A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, GBJ,
GBJ2008-BP-HF	MCC	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 20A, 800V V(RRM),
GBJ2008-F	DIODES	获取价格	20A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ2008G	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ2008T	DYELEC	获取价格	SINGLE PHASE 20AMP GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
GBJ201	HY	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS

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