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GBJ1501

更新时间： 2024-01-16 19:50:08
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2页 592K
描述
GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER

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GBJ1501 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：R-PSFM-T4Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.66其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：100 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4最大非重复峰值正向电流：240 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3.7 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ1501 数据手册

 浏览型号GBJ1501的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ15005 THRU GBJ1510  
GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER  
REVERSE VOLTAGE: 50 to 1000 V  
FORWARD CURRENT: 15 A  
Features  
• Glass passivated chip junction  
• Reliable low cost construction utilizing molded  
plastic technique  
• Ideal for printed circuit board  
• Low reverse leakage current  
• Low forward voltage drop  
• High surge current capabiliy  
Mechanical data  
• Case:Molded plastic, GBJ  
• Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant  
• Terminals: Leads solderable per MIL-STD-202  
method 208 guaranteed  
• Mounting Position: Any  
Absolute Maximum Ratings and Characteristics  
O
Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or  
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ GBJ  
Symbols  
Units  
Parameter  
15005 1501 1502 1504 1506 1508 1510  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100 200 400 600 800 1000  
70 140 280 420 560 700  
V
V
V
Maximum DC Blocking Voltage  
100 200 400 600 800 1000  
Maximum Average Forward Rectified Current with  
Heatsink at TC = 100 C  
I(AV)  
15  
A
O
Peak Forward Surge Current, 8.3 ms Single Half-Sine  
-Wave superimposed on rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
VF  
IR  
200  
A
V
O
Maximum Forward Voltage at 7.5 A DC and 25 C  
1.05  
O
Maximum Reverse Current at TA = 25 C  
at Rated DC Blocking Voltage TA = 125 C  
10  
500  
µA  
O
Typical Junction Capacitance 1)  
Typical Thermal Resistance 2)  
CJ  
60  
0.8  
pF  
O
RθJC  
C/W  
O
Operating and Storage Temperature Range  
TJ,TS  
-55 to +150  
C
1) Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 VDC.  
2) Thermal resistance from junction to case with device mounted on 300 mm X 300 mm X 1.6 mm Cu plate  
heatsink.  
SEMTECH ELECTRONICS LTD.  
(Subsidiary of Semtech International Holdings Limited, a company  
listed on the Hong Kong Stock Exchange, Stock Code: 724)  
R
Dated : 19/02/2006 H  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GBJ1501A YANGJIE

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