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GBJ1010

更新时间： 2024-02-13 01:23:42
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2页 58K
描述
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBJ1010 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.7其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：1000 V配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSFM-T4JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：170 A
元件数量：4相数：1
端子数量：4最大输出电流：10 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

GBJ1010 数据手册

 浏览型号GBJ1010的Datasheet PDF文件第2页 
SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER  
50 to 1000 Volts  
VOLTAGE RANGE  
GBJ10005 THRU GBJ1010  
CURRENT  
10.0 Amperes  
FEATURES  
GBJ  
·
Plastic package has UL Flammability  
Glassification 94V-0  
·
·
·
·
·
Glass passivated chip junctions  
High case dielectric strength of 1500 VRMS  
High surge current capability  
Ideal for printed circuit boards  
High temperature soldering guaranteed  
29.7-30.3  
4.4-4.8  
3.4-3.8  
O
3.0×45  
4
.
3
-
1
.
3
O
260℃/10 seconds, 0.375”(9.5mm) lead length  
2.5±0.2  
2.0-2.4  
2.7-3.1  
0.6-0.8  
MECHANICAL DATA  
·
Case: molded plastic body  
·
Terminal: Plated leads solderable per MIL-STD-750  
Method 2026  
0.9-1.1  
9.8-10.2 7.3-7.7  
7.3-7.7  
·
·
·
Mounting position: Any (Note 3)  
Mounting Torque: 6 in – 1bs max.  
Weight: 0.15 ounce,4.0 gram  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
·
·
·
Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified  
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load  
For capacitive load derate current by 20%  
GBJ  
10005  
GBJ  
1001  
GBJ  
1002  
GBJ  
1004  
GBJ  
GBJ  
1008  
GBJ  
SYMBOLS  
UNIT  
1006  
600  
420  
600  
1010  
1000  
700  
Maximum Reverse Peak Repetitive Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
10  
800  
560  
800  
Volts  
Volts  
Volts  
Maximum RMS Voltage  
Maximum DC Blocking Voltage  
100  
100  
Maximum Average Forward At TC=100℃(Note 1)  
I(AV)  
Amps  
Rectified Current,  
At TA=40℃(Note 2)  
5.0  
Peak Forward Surge Current  
8.3ms single half sine wave superimposed on  
rated load (JEDEC Method)  
IFSM  
170  
Amps  
I2t  
142  
1.0  
A2s  
Rating for Fusing (t＜8.3ms)  
Maximum Instantaneous Forward Voltage drop  
Per bridge element 5.0A  
VF  
Volts  
TA=25℃  
TA=125℃  
5.0  
Maximum DC Reverse Current at  
rated DC blocking voltage per element  
μA  
IR  
250  
Typical Junction Capacitance, per let  
pF  
(Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of  
4.0V)  
CJ  
60  
℃/W  
℃
Typical Thermal Resistance (Note 2 and 3)  
Operating Junction Temperature Range  
Storage Temperature Range  
RJC  
TJ  
TSTG  
2.2  
(-55 to +150)  
(-55 to +150)  
℃
Notes: 1. Unit mounted on 150mm×150mm×1.6mm A1. Plate heatsink  
2. Unit mounted on P.C.B. With 0.5×0.5”(1.2×1.2mm) copper pads and 0.375”(9.5mm) lead length  
3. Recommended mounting position is to bolt down on heatsink with silicone thermal compound for maximum  
Heat transfer with #6 screw  
E-mail: sales@cnmic.com  
Web Site: www.cnmic.com  
12

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