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GBJ1006 PDF预览

GBJ1006

更新时间： 2024-02-22 16:25:29
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2页 172K
描述
10A Glass Passivated Bridge Rectifier

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GBJ1006 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T4
针数：4Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.67Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最小击穿电压：600 V
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSFM-T4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：170 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

GBJ1006 数据手册

 浏览型号GBJ1006的Datasheet PDF文件第2页 
GBJ10005-GBJ1010  
10A Glass Passivated Bridge Rectifier  
Features  
·
·
·
·
·
·
Glass Passivated Die Construction  
High Case Dielectric Strength of 1500VRMS  
Low Reverse Leakage Current  
Surge Overload Rating to 170A Peak  
Ideal for Printed Circuit Board Applications  
Plastic Material - UL Flammability  
Classification 94V-0  
UL Listed Under Recognized Component  
Index, File Number E94661  
GBJ  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
29.70  
19.70  
17.00  
3.80  
7.30  
9.80  
2.00  
0.90  
2.30  
Max  
30.30  
20.30  
18.00  
4.20  
L
A
M
K
7.70  
·
G
H
I
10.20  
2.40  
B
D
S
N
_
Mechanical Data  
1.10  
J
P
J
2.70  
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
H
I
C
K
L
3.0 X 45°  
R
4.40  
3.40  
3.10  
2.50  
0.60  
10.80  
4.80  
3.80  
3.40  
2.90  
0.80  
11.20  
·
·
·
·
·
Polarity: Molded on Body  
M
N
P
Mounting: Through Hole for #6 Screw  
Mounting Torque: 5.0 in-lbs Maximum  
Weight: 6.6 grams (approx.)  
Marking: Type Number  
G
E
E
R
S
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
GBJ  
GBJ  
GBJ  
1002  
GBJ  
1004  
GBJ  
1006  
GBJ  
1008  
GBJ  
1010  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
10005 1001  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
50  
35  
100  
70  
200  
140  
400  
600  
420  
800  
560  
1000  
700  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
280  
10  
V
A
Average Forward Rectified Output Current  
@ TC= 110°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current, 8.3 ms single  
half-sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC method)  
IFSM  
170  
A
Forward Voltage per element  
@ IF = 5.0A  
VFM  
IR  
1.05  
V
10  
500  
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
mA  
@ TC = 125°C  
I2t Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)  
I2t  
Cj  
120  
55  
A2s  
pF  
Typical Junction Capacitance per Element (Note 2)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Case (Note 3)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJC  
Tj, TSTG  
1.4  
°C/W  
°C  
-65 to +150  
Notes:  
1. Non-repetitive, for t > 1.0ms and < 8.3ms.  
2. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.  
http://www.luguang.cn  
mail:lge@luguang.cn  
12

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