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GBJ1006

更新时间： 2024-01-03 23:10:37

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描述
GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

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GBJ1006 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T4
针数：	4	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最小击穿电压：	600 V
配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSFM-T4
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	170 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最大输出电流：	10 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	600 V	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

GBJ1006 数据手册

CHONGQING PINGYANG ELECTRONICS CO.,LTD.

GBJ10005 THRU GBJ1010

GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER

VOLTAGE：50-1000V

CURRENT：10.0A

FEATURES

·Low leakage

GBJ

.189(4.8)

.173(4.4)

1.193(30.3)

1.169(29.7)

·Low forward voltage

·Surge overload ratings-170 Amperes

HOLE FOR NO.

.150(3.8)

.134(3.4)

6 SCREW

.119

(0.5)

.800(20.3)

.697(17.7)

.441(11.2)

.425(10.8)

.184(3.4)

.122(3.1)

+ ~ ~ -

.106(2.7)

.096(2.3)

.094(2.4)

.078(2.0)

.043(1.1)

.035(0.9)

.114(2.9)

.098(2.5)

.708(18.0)

.669(17.0)

.165(4.2)

.150(3.8)

.031(0.8)

.023(0.6)

MECHANICAL DATA

·Case: Molded plastic

·Epoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

·Lead: MIL-STD- 202E, Method 208 guaranteed

·Polarity: Symbols molded or marked on body

·Mounting: Thru hole for 6# screw

·Weight: 6.6 grams

.402(1.1)

.386(0.9)

.303(7.7)

.287(7.3)

.303(7.7)

.287(7.3)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRONICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz,resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

GBJ

units

SYMBOL

10005 1001

1002

1004

1006

1008

1010

1000

700

V_RRM

V_RMS

V_DC

100

200

140

200

400

280

400

600

420

600

800

560

800

Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Bridge Input Voltage

Maximum DC Blocking Voltage

100

1000

Maximum Average Forward rectified Output

Current at T_C=100°C

I_o

Peak Forward Surge Current 8.3ms single half

sine-wave superimposed on rate load (JEDEC

method)

I_FSM

V_F

I_R

170

Maximum Forward Voltage Drop per element at

5.0A DC

1.05

Maximum DC Reverse Current

at Rated DC Blocking Voltage

@ T_A=25°C

µA

500

120

@ T_A=125°C

per element

I²t

C_J

A²S_ec

I²t Rating for Fusing (t<8.3ms)

Typical Junction Capacitance per Element(Note 1)

Typical Thermal Resistance, Junction to Case

(Note 2)

R_θJA

1.4

°C/W

Notes: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.

2. Thermal resistance from junction to case per element. Unit mounted on 150 x 150 x 1.6mm copper plate heat sink.

１

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与GBJ1006相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
GBJ1006(LS)	DIODES	10A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER	获取价格
GBJ1006A	YANGJIE	Bridge Rectifiers	获取价格
GBJ1006B1	YANGJIE	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3.5A, 600V V(RRM), Silicon,	获取价格
GBJ1006-BP	MCC	10 Amp Glass Passivated Bridge Rectifier 50 to 1000 Volts	获取价格
GBJ1006-BP-HF	MCC	Bridge Rectifier Diode,	获取价格
GBJ1006F	HY	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 3A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC, GBJ, 4 PIN	获取价格

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