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GBI25B

更新时间: 2024-09-23 22:48:51
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赛米控丹佛斯 - SEMIKRON /
页数 文件大小 规格书
2页 182K
描述
Silicon-Bridge Rectifiers

GBI25B 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:R-PSIP-W4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.68
其他特性:UL RECOGNIZED配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-W4JESD-609代码:e2
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最大输出电流:5 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:100 V表面贴装:NO
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

GBI25B 数据手册

 浏览型号GBI25B的Datasheet PDF文件第2页 
GBI 25A ... GBI 25M  
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Inline bridge  
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Absolute Maximum Ratings  
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Forward Current: 25 A  
Reverse Voltage: 50 to 1000 V  
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Publish Data  
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Features  
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Mechanical Data  
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Characteristics  
Symbol Conditions  
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Values  
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Units  
9
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Dimensions in mm  
1
15-10-2004 SCT  
© by SEMIKRON  

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