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GB50XF60K

更新时间： 2024-11-11 20:58:15

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		局域网电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	191K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, ECONO26PACK-17

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GB50XF60K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, ECONO26PACK-17	针数：	17
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	20 weeks 1 day	风险等级：	5.84
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	80 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X17
JESD-609代码：	e3	元件数量：	6
端子数量：	17	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	315 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL (197)
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	248 ns
标称接通时间 (ton)：	172 ns	Base Number Matches：	1

GB50XF60K 数据手册

GB50XF60K

Vishay High Power Products

IGBT Sixpack Module, 48 A

FEATURES

• Low diode V_F

• 10 µs short circuit capability

• Square RBSOA

RoHS

COMPLIANT

• Low V_CE(on)non punch through IGBT technology

• HEXFRED^®antiparallel diode with ultrasoft reverse

recovery characteristics

• Positive V_CE(on)temperature coefficient

• Ceramic DBC substrate

ECONO2 6PACK

• Low stray inductance design

• Speed 8 to 60 kHz

• Totally lead (Pb)-free

• Designed and qualified for industrial market

PRODUCT SUMMARY

BENEFITS

V_CES

600 V

1.89 V

> 10 µs

48 A

• Benchmark efficiency for motor control

• Rugged transient performance

• Low EMI, requires less snubbing

• Direct mounting to heatsink

• PCB solderable terminals

V_CE(on)(typical)

t_scat T_J= 150 °C

I_Cat T_C= 80 °C

• Low junction to case thermal resistance

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MAX.

600

UNITS

Collector to emitter voltage

V_CES

T_C= 25 °C

Continuous collector current

I_C

T_C= 80 °C

Pulsed collector current

See fig. C.T.5

I_CM

I_LM

160

Clamped inductive load current

160

T_C= 25 °C

T_C= 80 °C

Diode continuous forward current

I_F

Diode maximum forward current

Gate to emitter voltage

I_FM

160

V_GE

T_C= 25 °C

315

177

Maximum power dissipation

(IGBT and Diode)

P_D

_C= 80 °C

Maximum operating junction temperature

Storage temperature range

Isolation voltage

T_J

150

°C

T_Stg

- 40 to + 125

AC 2500 (minimum)

V_ISOL

Document Number: 94474

Revision: 01-Sep-08

For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com

www.vishay.com

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