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GB50SLT12-247

更新时间： 2024-11-12 01:23:27
品牌 Logo 应用领域
GENESIC 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 2437K
描述
Silicon Carbide Power Schottky Diode

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GB50SLT12-247 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：TO-247-2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：8.4
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 V最大非重复峰值正向电流：350 A
元件数量：1最高工作温度：175 °C
最大输出电流：50 A最大重复峰值反向电压：1200 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

GB50SLT12-247 数据手册

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GB50SLT12-247  
1200 V SiC MPS™ Diode  
Silicon Carbide Power  
Schottky Diode  
VRRM  
IF (Tc  
=
=
=
1200 V  
94 A  
=
135°C)  
QC  
277 nC  
Features  
Package  
High Avalanche (UIS) Capability  
Enhanced Surge Current Capability  
175 °C Maximum Operating Temperature  
Temperature Independent Switching Behavior  
Positive Temperature Coefficient Of VF  
Extremely Fast Switching Speeds  
Superior Figure of Merit QC/IF  
2
1
TO-247-2L  
Applications  
Advantages  
Low Standby Power Losses  
Power Factor Correction (PFC)  
Improved Circuit Efficiency (Lower Overall Cost)  
Low Switching Losses  
Switched-Mode Power Supply (SMPS)  
Solar Inverters  
Ease of Paralleling Devices without Thermal Runaway  
Smaller Heat Sink Requirements  
Low Reverse Recovery Current  
Wind Turbine Inverters  
Motor Drives  
Induction Heating  
Low Device Capacitance  
Low Reverse Leakage Current at Operating Temperature  
Uninterruptible Power Supply (UPS)  
High Voltage Multipliers  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Symbol  
VRRM  
Conditions  
Values  
1200  
191  
Unit  
V
TC = 25 °C, D = 1  
TC = 135 °C, D = 1  
Continuous Forward Current  
IF  
94  
A
TC = 162 °C, D = 1  
50  
TC = 25 °C, tP = 10 ms  
TC = 150 °C, tP = 10 ms  
TC = 25 °C, tP = 10 ms  
TC = 150 °C, tP = 10 ms  
TC = 25 °C, tP = 10 µs  
TC = 25 °C, tP = 10 ms  
L = 1 mH, IAV = 42 A, VDD = 60 V  
VR = 0 ~ 960 V  
320  
280  
220  
150  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current,  
Half Sine Wave  
Repetitive Peak Forward Surge Current, Half  
Sine Wave  
IF,SM  
IF,RM  
A
A
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current  
IF,max  
∫i2 dt  
EAS  
dV/dt  
Ptot  
1400  
300  
450  
100  
1241  
-55 to 175  
A
A2s  
mJ  
V/µs  
W
I2t Value  
Non-Repetitive Avalanche Energy  
Diode Ruggedness  
Power Dissipation  
TC = 25 °C  
Operating and Storage Temperature  
Tj , Tstg  
°C  
Electrical Characteristics  
Parameter  
Values  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min.  
typ.  
1.5  
2.3  
5
40  
186  
277  
max.  
1.8  
2.7  
70  
475  
IF = 50 A, Tj = 25 °C  
IF = 50 A, Tj = 175 °C  
VR = 1200 V, Tj = 25 °C  
VR = 1200 V, Tj = 175 °C  
VR = 400 V  
IF ≤ IF,MAX  
dIF/dt = 200 A/μs  
Tj = 175 °C  
Diode Forward Voltage  
Reverse Current  
VF  
IR  
V
µA  
nC  
ns  
pF  
Total Capacitive Charge  
Switching Time  
QC  
ts  
VR = 800 V  
VR = 400 V  
< 10  
VR = 800 V  
VR = 1 V, f = 1 MHz, Tj = 25 °C  
VR = 800 V, f = 1 MHz, Tj = 25 °C  
3037  
203  
Total Capacitance  
C
Thermal / Mechanical Characteristics  
Thermal Resistance, Junction - Case  
RthJC  
0.12  
°C/W  
Feb 2018 Rev1.1  
http://www.genesicsemi.com/sic_rectifiers_diodes/merged_pin_schottky/  
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GB50SLT12-247_18 GENESIC

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