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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.25 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 84 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 431 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | UNSPECIFIED |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 366 ns | 标称接通时间 (ton)： | 244 ns |
| VCEsat-Max： | 2.8 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GB50RF60K | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES |
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| GB50RF60K | VISHAY |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, ECONO2PI |
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| GB50SLT12-247 | GENESIC |
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Silicon Carbide Power Schottky Diode |
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| GB50SLT12-247_18 | GENESIC |
获取价格 |
Silicon Carbide Power Schottky Diode |
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| GB50XF120K | INFINEON |
获取价格 |
IGBT SIXPACK MODULE |
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| GB50XF60K | VISHAY |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, LEAD FREE, ECONO26P |
|
| GB50YF120N | VISHAY |
获取价格 |
IGBT Fourpack Module, 50 A |
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| GB5101 | GRENERGY |
获取价格 |
Battery Protection IC for Single-cell Pack |
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| GB5101CG | GRENERGY |
获取价格 |
Battery Protection IC for Single-cell Pack |
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| GB5101CL | GRENERGY |
获取价格 |
Battery Protection IC for Single-cell Pack |
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