Datasheet > GB502-P

GB502-P

更新时间： 2024-11-11 20:46:43

品牌	Logo	应用领域
固锝 - GOOD-ARK		二极管
页数	文件大小	规格书
2页	114K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 200V V(RRM), Silicon,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

GB502-P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PSSO-X1	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.75	应用：	GENERAL PURPOSE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.08 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-X1	最大非重复峰值正向电流：	600 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	1	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	50 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	200 V
最大反向电流：	5 µA	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

GB502-P 数据手册

ꢀ

Low leakage

Low forward voltage drop

High current capability

High forward surge current capability

ꢀ

Technology : Vacuum soldered

Copper cup with transfer molded plastic

Glass passivated chip

Polarity: GB50*-P lead-P

ꢀ

Lead: Plated Ni lead, solderable per MIL-STD-202E

method 208C

Weight: 0.094 ounces, 2.65 grams

ꢁ

ꢀ

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load derate current by 20%.

GB502 thru GB504

Block Type Automotive Rectifier

Voltage Range 200 to 400 Volts Current 50 Amps

Technical Specification:

Features:

Mechanical Data:

GB50*-N lead-N

Unit: mm

G B 502-P

G B 502-N

G B 503-P

G B 503-N

G B 504-P

G B 504-N

Param eters

Sym bols

U nits

M axim um repetitive peak reverse voltage

M axim um RM S voltage

V_RRM

V_{RM S}

V_{D C}

200

300

210

300

400

280

400

Volts

Am ps

140

200

M axim um D C blocking voltage

M axim um Average rectified forward currentatT_C=105^oC

Peak forward surge current8.3m S single halfsine-wave

superim posed on rated load (JED EC M ethod)

600.0

Am ps

FSM

Rating forfusing (t<8.3m S)

1494

1.08

A²S

M axim um instantaneous forward voltage drop at100A

V_F

Volts

M axim um D C reverse current

atrated D C blocking voltage

T_A=25^oC

T_A=100^oC

5.0

450

Typicaltherm alresistance

R_θJL

1.0

^oC /W

^oC

O perating and storage tem perature range

Notes:

T_J,T_STG

-65 to +175

1. Enough heatsink must be considered in application.

中文翻译

下载PDF

与GB502-P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
GB503N	THINKISEMI	获取价格	50 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators
GB503P	THINKISEMI	获取价格	50 Ampere Standard Type Positive Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators
GB504	GOOD-ARK	获取价格	Block Type Automotive Rectifier Voltage Range 200 to 400 Volts Current 50 Amps
GB504N	THINKISEMI	获取价格	50 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators
GB504-N	GOOD-ARK	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 50A, 400V V(RRM), Silicon,
GB504P	THINKISEMI	获取价格	50 Ampere Standard Type Negative Block Rectifier Diodes for Automotive Alternators
GB5057300KA6N	KYOCERA AVX	获取价格	Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, N2000, -2000+/-500ppm/Cel TC, 0.00003
GB5057300KN6N	KYOCERA AVX	获取价格	Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, N2000, -2000+/-500ppm/Cel TC, 0.00003
GB5057330KA6N	KYOCERA AVX	获取价格	Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, N2000, -2000+/-500ppm/Cel TC, 0.00003
GB5057330KN6N	KYOCERA AVX	获取价格	Ceramic Capacitor, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, N2000, -2000+/-500ppm/Cel TC, 0.00003

与GB502-P相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

9
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

1
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

1
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

27

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GB502-P

GB502-P 技术参数

GB502-P 数据手册

与GB502-P相关器件

与GB502-P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

GB502-P

GB502-P 技术参数

GB502-P 数据手册

与GB502-P相关器件

与GB502-P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？