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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GAL20V8QS-15LNI | ETC |
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Electrically-Erasable PLD |
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| GAL20V8QS-20LNC | ROCHESTER |
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EE PLD, 20 ns, PDIP24, 0.300 INCH, SKINNY, PLASTIC, DIP-24 |
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| GAL20V8QS20LNI | ETC |
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Electrically-Erasable PLD |
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| GAL20V8QS-20LVI | ROCHESTER |
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EE PLD, 20 ns, PQCC28, PLASTIC, LCC-28 |
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| GAL20V8QS-25QNC | ROCHESTER |
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EE PLD, 25 ns, PDIP24, 0.300 INCH, SKINNY, PLASTIC, DIP-24 |
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| GAL20V8S-20EC1J | ETC |
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Electrically-Erasable PLD |
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| GAL20V8S-20EC3J | ETC |
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Electrically-Erasable PLD |
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| GAL20V8Z | LATTICE |
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Zero Power E2CMOS PLD |
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| GAL20V8Z-12QJ | LATTICE |
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Zero Power E2CMOS PLD |
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| GAL20V8Z-12QP | LATTICE |
获取价格 |
Zero Power E2CMOS PLD |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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