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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.13 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | ULTRA FAST |
| 标称电路换相断开时间： | 0.3 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 15 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 0.75 V | 最大维持电流： | 5 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | METAL | |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 0.314 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 0.1 µA |
| 断态重复峰值电压： | 60 V | 重复峰值反向电压： | 60 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GA300AE3 | MICROSEMI |
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Silicon Controlled Rectifier, 0.314A I(T)RMS, 60V V(DRM), 60V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| GA300DD120S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300DD120U | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300KD120S | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300KD120U | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300KS60U | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300ND120S | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
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| GA300TD60S | VISHAY |
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Dual INT-A-PAK Low Profile 'Half-Bridge' (Standard Speed IGBT), 300 A |
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| GA300TD60U | INFINEON |
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HALF-BRIDGE IGBT DUAL INT-A-PAK |
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| GA301 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs Commercial Nanosecond Switching Planar |
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