G8931-20

更新时间： 2024-10-02 03:38:59

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HAMAMATSU		光纤光电二极管局域网
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2页	87K
描述
InGaAs APD

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G8931-20 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.83
Is Samacsys：	N	主体高度：	3.7 mm
主体长度或直径：	4.7 mm	最大暗电源：	150 nA
光纤设备类型：	AVELANCHE PHOTODIODE DETECTOR	安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
标称工作波长：	1550 nm	光谱宽度：	1700 nm
表面贴装：	NO	传输类型：	DIGITAL
Base Number Matches：	1

G8931-20 数据手册

P H O T O D I O D E

InGaAs APD

G8931-20

Large active area: φ0.2 mm, high-speed response: 0.9 GHz

G8931-20 is a large area InGaAs APD designed for distance measurement, spatial light transmission and low-light-level detection, etc. Despite its

large active area of φ0.2 mm, G8931-20 provides high-speed response (typical cut-off frequency 0.9 GHz at M=10).

Features

Applications

Active area: φ0.2 mm

Low voltage operation

Low capacitance

High sensitivity

Distance measurement

Spatial light transmission

OTDR

Low-light-level detection

Low dark current

ꢀ General ratings

Parameter

Active area

Symbol

Value

φ0.2

Unit

ꢀ Absolute maximum ratings

Parameter

Forward current

Symbol

Value

500

Unit

µA

Reverse current

Operating temperature

Storage temperature

Topr

Tstg

-40 to +85

-55 to +125

°C

ꢀ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C)

Parameter

Spectral response range

Peak sensitivity wavelength

Photo sensitivity

Symbol

Condition

Min.

0.8

Typ.

0.9 to 1.7

1.55

0.9

Max.

0.16

200

Unit

µm

A/W

V/°C

λp

λ=1.55 µm, M=1

Breakdown voltage

I =100 µA

Temperature coefficient of VBR

Dark current

-40 to +85 °C

0.11

150

0.9

V =V

× 0.9

Cut-off frequency

M=10

0.6

GHz

VR=VBR × 0.9

f=1 MHz

Terminal capacitance

1.5

ꢀꢀSpectral response

ꢀꢀDark current vs. reverse voltage

(Typ. Ta=25 ˚C, M=1)

(Typ. Ta=25 ˚C)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

1 mA

100 µA

10 µA

1 µA

PHOTOCURRENT

100 nA

10 nA

1 nA

DARK CURRENT

100 pA

10 pA

1 pA

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

WAVELENGTH (µm)

REVERSE VOLTAGE (V)

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