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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIE |
| 包装说明： | X-XUUC-N | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.40 |
| 风险等级： | 5.7 | 其他特性： | LOW INDUCTANCE |
| 最小击穿电压： | 25 V | 配置： | SINGLE |
| 二极管电容容差： | 5% | 最小二极管电容比： | 2 |
| 标称二极管电容： | 22 pF | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | VARIABLE CAPACITANCE DIODE | 频带： | VERY HIGH FREQUENCY TO S BAND |
| JESD-30 代码： | X-XUUC-N | 元件数量： | 1 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | UNSPECIFIED | 封装形式： | UNCASED CHIP |
| 认证状态： | Not Qualified | 最小质量因数： | 500 |
| 最大重复峰值反向电压： | 25 V | 最大反向电流： | 0.5 µA |
| 反向测试电压： | 20 V | 子类别： | Varactors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | UPPER | 变容二极管分类： | ABRUPT |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G522CCHIP | APITECH |
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Variable Capacitance Diode, Very High Frequency to S Band, 22pF C(T), 25V, Silicon, Abrupt |
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| G523 | SAFT |
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3.0 V Primary lithium-sulfur dioxide High drain capability C-size spiral cell |
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| G524 | GMT |
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UL, CB, SS, Fast SCP, VOUT Reverse-Voltage Protection, A/B/C/D ILimit = 2.1A/2.5A/2.0A/1. |
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| G-524.5KOHM1% | VISHAY |
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RESISTOR, WIRE WOUND, 4 W, 1 %, 20 ppm, 24500 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED |
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| G-524.5KOHM5% | VISHAY |
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RESISTOR, WIRE WOUND, 4 W, 5 %, 20 ppm, 24500 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED |
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| G5240 | GMT |
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High-Side Power Distribution Switch |
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| G5241 | GMT |
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High-Side Power Distribution Switch |
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| G5243A | GMT |
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High-Side Power Distribution Switch |
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| G5243AT11U | GMT |
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High-Side Power Distribution Switch |
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| G5244 | GMT |
获取价格 |
High-Side Power Distribution Switch |
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