5秒后页面跳转
G4260C1EN1S PDF预览

G4260C1EN1S

更新时间: 2024-02-10 05:42:50
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

G4260C1EN1S 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99风险等级:5.92
应用:POWER配置:COMPLEX
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
相数:1峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

G4260C1EN1S 数据手册

  

与G4260C1EN1S相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
G4260C1EN1SE3 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

G4260C1FB1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

G4260C1FB1SE3 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

G4260C1FBC1S MICROSEMI 暂无描述

获取价格

G4260C1FC1S MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格

G4260C1FC1SE3 MICROSEMI Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon,

获取价格