G3VM-31QV
□
/61QV□□
MOS FET继电器 S-VSON(L),电压驱动型
较小级别的S-VSON(L)
封装,带电压驱动型
MOS FET继电器(输入侧
具有内部限流电阻)
• 正向动作输入电压:高/推荐值5 V(典型值),
注:标记内容与实际商品有所不同。
低/推荐值2.5 V(典型值)
• 负载电压:30 V/60 V
G3VM-31QVH/L: 最大连续负载电流:1.5 A
G3VM-61QV2H/L:最大连续负载电流:1.0 A
G3VM-61QVH:
最大连续负载电流:0.4 A
• 高环境动作温度:-40°C~+110°C
符合RoHS
■用途示例
• 半导体测试设备
• 测试与测量设备
• 通信设备
• 数据记录仪
■型号标准
■形状
(单位:mm,平均值)
G3VM-□ □ □ □ □ □
S-VSON(L) 4针
1
2
3
4
5
6
1. 负载电压
3:30 V
2. 接点构成
3.形状
Q:S-VSON(L) 4针
O
V
4
1
3
1:1a (SPST-NO)
1.3
0
6:60 V
4.附加功能
5. 序列号
6.正向输入电压
H:高电压
2.0
1.45
V: 电压驱动型
当规格值重复时,按记录的
顺序添加序列号。
注:标记内容与实际商品有所不同。
L:低电压
■种类
连续
负载电流
(最大)∗
S
I
包装形式/卷切
包装形式/带状包装
负载电压
(最大)∗
形状
接点构成
端子种类
V
S
型号
最小包装单位
型号
最小包装单位
O
G3VM-31QVH
G3VM-31QVL
G3VM-61QV2H
G3VM-61QV2L
G3VM-61QVH
G3VM-31QVH(TR05)
G3VM-31QVL(TR05)
G3VM-61QV2H(TR05)
G3VM-61QV2L(TR05)
G3VM-61QVH(TR05)
N
30 V
1,500 mA
(L)
表面安装
端子
S-VSON(L)4
1a (SPST-NO)
1件
500件
1,000 mA
400 mA
G
3
60 V
V
M
注:订购带状包装(表面安装端子型)时,请在型号末尾加上“(TR05)”。
以卷切品购入的S-VSON(L)产品无防湿包装,请在封装时进行焊接。
请参考 「共通注意事项」。
∗ 连续负载电流(最大)、负载电压(最大):表示峰值AC、 DC。
3
1
Q
V
□
/
6
1
Q
V
□
□
1