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G2SB20-M3/45

更新时间： 2024-09-27 20:55:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
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4页 85K
描述
DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode

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G2SB20-M3/45 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSIP-T4
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.66其他特性：UL RECOGNIZED
最小击穿电压：200 V外壳连接：ISOLATED
配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODEJESD-30 代码：R-PSIP-T4
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
最大重复峰值反向电压：200 V表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

G2SB20-M3/45 数据手册

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G2SB20, G2SB60, G2SB80  
Vishay General Semiconductor  
Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier  
FEATURES  
• UL recognition file number E54214  
• Ideal for printed circuit boards  
• High surge current capability  
• Typical I less than 0.1 µA  
R
~
~
• High case dielectric strength  
~
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
~
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
Case Type GBL  
• Halogen-free according to IEC 61249-2-21  
definition  
TYPICAL APPLICATIONS  
General purpose use in AC/DC bridge full wave  
rectification for monitor, TV, printer, SMPS, adapter,  
audio equipment, and home appliances application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
1.5 A  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V, 600 V, 800 V  
80 A  
5 µA  
MECHANICAL DATA  
Case: GBL  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
VF  
1.0 V  
150 °C  
TJ max.  
Base P/N-M3 - halogen-free and RoHS compliant,  
commercial grade  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
M3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: As marked on body  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
VRRM  
G2SB20  
200  
G2SB60  
600  
G2SB80  
800  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
V
V
V
VRMS  
140  
420  
560  
Maximum DC blocking voltage  
VDC  
200  
600  
800  
Maximum average forward rectified output current  
at TA = 25 °C  
IF(AV)  
1.5  
80  
A
Peak forward surge current single sine-wave superimposed  
on rated load  
IFSM  
A
Rating for fusing (t < 8.3 ms)  
I2t  
27  
A2s  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL  
G2SB20  
G2SB60  
G2SB80  
UNIT  
Maximum instantaneous forward  
voltage drop per diode  
0.75 A  
VF  
IR  
1.00  
V
Maximum DC reverse current at rated TA = 25 °C  
DC blocking voltage per diode  
5.0  
300  
µA  
TA = 125 °C  
Document Number: 89302  
Revision: 16-Nov-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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与G2SB20-M3/45相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
G2SB20-M3/51 VISHAY

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 		DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE, Bridge Rectifier Diode
G2SB2-E3/45 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
G2SB2-E3/51 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
G2SB40 GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 1.5A
G2SB460-E GULFSEMI

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 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 800V Current:4.0A
G2SB480-E GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 600V to 800V Current:4.0A
G2SB60 GULFSEMI

获取价格

 		SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current: 1.5A
G2SB60 MIC

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 		GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER
G2SB60 VISHAY

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 		Glass Passivated Single-Phase Bridge Rectifier
G2SB60/1 VISHAY

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 		Bridge Rectifier Diode, 1.5A, 600V V(RRM),

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