5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.91 |
| 配置： | BRIDGE, 6 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 元件数量： | 6 |
| 相数： | 3 | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| G20100Z1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 3 Phase, Silicon, |
|
| G2011 | GMT |
获取价格 |
2-Channel DC Motor Driver for Toy |
|
| G-2011-0041 | CWIND |
获取价格 |
SWITCH SLIDE SPST 8A 125V |
|
| G2012 | GMT |
获取价格 |
42CH serial input motor driver IC for DSC |
|
| G20120B1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20120B1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20120B1FN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20120B1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20120B1TC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| G20120C1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
